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在编程期间降低NAND串选择栅极电压的非易失性存储装置制造方法及图纸
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下载在编程期间降低NAND串选择栅极电压的非易失性存储装置的技术资料
文档序号:12576157
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本文所公开的技术可以通过防止未选择的NAND串的选择晶体管无意间导通来防止编程干扰。NAND串的选择晶体管的Vgs可以多次从一个编程脉冲到下一编程脉冲被降低。选择晶体管可以是漏极侧选择晶体管或源极侧选择晶体管。随着编程进行逐步降低未选择的N...
该专利属于桑迪士克技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过桑迪士克技术有限公司授权不得商用。
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