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本实用新型提供了一种具有U型沟槽的半浮栅存储器件，包括：至少一个半导体衬底、源区和漏区、U型沟槽、半浮栅、控制栅以及用于连接半浮栅和漏区的p-n结二极管，其中，U型沟槽位于源区和漏区之间，U型沟槽的侧壁和底面覆盖有第一层电介质薄膜，在覆盖漏...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司授权不得商用。