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一种双浅沟槽隔离形成方法，其首先在晶圆上进行一次曝光显影，将第一浅沟槽(即预定深度更浅的沟槽)区域用第一光刻胶覆盖，然后，用低温PEALD的方式生长一层很薄的氧化硅，接下来再进行第二次光刻，定义第一浅沟槽和第二浅沟槽区域；第一浅沟槽区域由于...
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