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蚀刻液及线路形成方法技术
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文档序号:12481919
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本发明涉及可抑制铜线路图案的侧蚀的铜的蚀刻液、其补充液及线路形成方法。铜的蚀刻液包括包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液,所述非离子性界面活性剂的浊点为15~55℃。根据本发明的线路形成方法,通过将所述蚀刻液依序接触铜层(...
该专利属于MEC股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过MEC股份有限公司授权不得商用。
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