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一种同时形成一维和二维光刻胶图形的方法技术
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文档序号:12474852
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一种同时形成一维和二维光刻胶图形的方法,包括:第一步骤,在第一掩膜版上设计一维图形,设计二维图形的第一线条图形;第二步骤,在第二掩膜版上设计一维图形的保护图形以及二维图形的第二线条图形;第三步骤,在需形成一维和二维光刻胶图形的硅片上进行光刻...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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