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本发明涉及一种具有突变隧穿结的SSOI隧穿场效应晶体管及制备方法，该制备方法包括:制备SSOI衬底；形成浅沟槽隔离；光刻形成漏区图形，带胶离子注入形成漏区；干法刻蚀形成源区沟槽；在源区沟槽内淀积Si材料并进行原位掺杂形成源区；在衬底上表面形...
该专利属于西安科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安科技大学授权不得商用。

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