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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成硅通孔；在硅通孔的侧壁和底部沉积形成衬垫层；对衬垫层实施氮化处理，以提升衬垫层自身产生的应力的稳定性。根据本发明，可以有效改善形成在硅通孔中的衬垫层的质量和特性，进...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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