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本发明提供了一种降低镍侵蚀的方法，包括在一半导体器件衬底上制备栅极、源漏极，以及包括：清洗半导体器件衬底，然后在源漏极上进行镍沉积，以在源漏极上方形成镍材料；采用物理气相沉积工艺在镍材料上形成一层氮化物层；对半导体器件衬底进行快速热处理工艺...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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