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一种晶圆处理方法，包括：承载基底的第一表面具有定位标记；待处理基底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面，待处理基底具有器件区、以及包围器件区的边缘区；将承载基底的第一表面与待处理基底的第一表面键合，定位标记位于待处理基底的边缘区内；对...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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