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本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成有隔离结构，将半导体衬底分为第一器件区和第二器件区；在半导体衬底上依次形成高k介电层、覆盖层、伪栅极层、硬掩膜层；图形化所述高k介电层、覆盖层、伪栅极层、硬掩膜层...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。