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本申请公开了一种半导体器件、互连层和互连层的制作方法，该互连层的制作方法包括：在半导体衬底上形成具有凹槽的介电层；在凹槽内形成金属层；填充介电层的表面中的孔隙；在介电层的表面及金属层的表面上形成金属盖层。本申请中的互连层的制作方法是在形成金...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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