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III族氮化物衬底以及制备工艺制造技术
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文档序号:12397884
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本发明提供了一种III族氮化物衬底以及制备方法。所提供的衬底的III族元素面至少存在一个横截面为V型的沟槽,所述沟槽的深度范围是0.3nm-50nm,宽度范围是10nm-500nm。本发明的优点在于,只去除晶格损伤而不特别在意是否去除划痕,...
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