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本发明提供一种FinFET器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有多个鳍片，在鳍片的顶部形成有硬掩膜层；形成衬垫氧化物层，以覆盖半导体衬底的表面、鳍片的侧壁以及所述硬掩膜层的侧壁和顶部；形成覆盖衬垫氧化...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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