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本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供包括伪栅极的前端器件，去除所述伪栅极，在所述伪栅极原来的位置形成包括钨栅极的栅极结构；步骤S102：对所述钨栅极进行回刻蚀；步骤S103：在所述钨栅极的上...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。