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本发明提供了形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法。该方法包括在衬底上形成鳍，该鳍中具有沟道区。该方法还包括形成与邻近沟道区的鳍相接合的栅极结构以及在栅极结构的侧壁上形成间隔件。该方法还包括：在鳍中形成两个凹槽，该凹槽邻近间隔件且位于栅...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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