温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：提供衬底，衬底包括第一半导体层、位于第一半导体层表面的绝缘层、以及位于绝缘层表面的第二半导体层，衬底具有第一区域、第二区域和第三区域，第二区域与第一区域和第三区域相邻接，其中，第一区...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。