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本发明公开了一种形成SiC晶体的方法，包括将SiC的晶种置于绝缘石墨容器中，以及将所述晶种支撑在搁架上，其中垫圈接触所述晶种的顶部表面和底部表面的周边上的所述晶种，并且其中所述石墨容器不接触所述晶种的侧表面；将Si和C原子源置于所述绝缘石墨...
该专利属于道康宁公司所有，仅供学习研究参考，未经过道康宁公司授权不得商用。

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