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一种应用于通过化学气相沉积在一个或多个晶片上生长外延层的系统中的晶片承载器。所述晶片承载器包括凹入其本体的晶片保持凹穴。热绝缘间隔装置至少部分地位于至少一个晶片保持凹穴中，并且设置为保持周壁表面和晶片之间的间隔。间隔装置由具有比晶片承载器的...
该专利属于美国维易科精密仪器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国维易科精密仪器有限公司授权不得商用。

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