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本发明提供了一种隧道场效应晶体管，包括漏极层、源极层、沟道层、金属栅极层和高k介电层。漏极层和源极层具有相反的导电类型。沟道层设置在漏极层和源极层之间。漏极层、沟道层和源极层中的至少一个具有基本恒定的掺杂浓度。金属栅极层设置在沟道层周围。高...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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