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本发明涉及一种终端结构及制备方法，尤其是一种提高耐压能力的MOSFET终端结构及方法，属于功率MOSFET的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述提高耐压能力的MOSFET终端结构，包括半导体基板，所述半导体基板包括衬底以及位于所述衬底上...
该专利属于无锡同方微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡同方微电子有限公司授权不得商用。

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