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本发明涉及对存储器单元阵列进行编程及擦除的方法。本发明提供一种用于对NMOS电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元阵列进行编程及擦除的方法，其最小化对所述存储器阵列单元及支持电路的位干扰及高电压要求。另外，可通过形成其上制作有独立可编...
该专利属于密克罗奇普技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过密克罗奇普技术公司授权不得商用。

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