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具有延伸凹陷的间隔体和源极/漏极区域的晶体管架构及其制造方法技术
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下载具有延伸凹陷的间隔体和源极/漏极区域的晶体管架构及其制造方法的技术资料
文档序号:12273985
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公开了用于形成具有延伸凹陷的间隔体和源极/漏极(S/D)区域的晶体管架构的技术。在一些实施例中,可(例如)在基于鳍状物的场效应晶体管(finFET)的鳍状物的顶部中形成凹部,以使得所述凹部允许在所述finFET中形成相邻于栅极叠置体的延伸凹...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
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