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制造纳米结构的半导体发光元件的方法技术
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文档序号:12253266
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本发明提供了一种制造纳米结构的半导体发光元件的方法,根据本发明的一方面的该方法包括步骤:在基层上形成具有多个开口的掩模;通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体层来形成多个纳米芯,以填充其上的多个开口;部分地去除掩模,以暴露出多个纳米芯的...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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