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本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种射频LDMOS晶体管及其制造方法。本发明的技术方案，主要为将传统的LDMOS法拉第罩设置为多段结构，分段后的金属相互独立，从而使靠近漏端处的金属块浮空，能够改善浮空后金属与其下面漂移区的电势差，从而降低...该专利属于电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院授权不得商用。