温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种具有较低米勒电容的VDMOS器件及其制造方法。本发明采用的技术方案主要为在栅极下方的外延层中设置填充有氧化物的沟槽，使栅极控制在厚氧化层介质之上，减小控制栅末端位置产生的半导体表面高电场，防止器件耐压...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。