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本发明涉及一种氮化硅结合碳化硅耐火材料及其制备方法。其技术方案是：以45~89wt%的碳化硅、10~50wt%的单质硅粉和0.1~5wt%的铬粉为原料，外加所述原料3~9wt%的结合剂，搅拌均匀，压制成型，成型后的坯体在110℃条件下干燥1...
该专利属于武汉科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉科技大学授权不得商用。

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