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一种半导体结构，包括基材、漂移层、至少一掺杂区、磊晶(外延)通道、栅极氧化层、栅极金属以及绝缘层。漂移区位于基材之上，且基材及漂移层具有n型导电型。掺杂区包括p型阱、n型掺杂区及p型掺杂区，其中n型掺杂区设置于p型阱之内，至少一部分的p形掺...该专利属于财团法人工业技术研究院;Acreo瑞典信息和通信技术研究有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院;Acreo瑞典信息和通信技术研究有限公司授权不得商用。