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本发明公开了一种III族氮化物外延晶体及其生长方法，自下而上依次包含衬底，第一III族氮化物外延层，石墨烯，图形化掩膜层，第二III族氮化物外延层。本发明的一种III族氮化物外延晶体具有低应力，低缺陷密度等优点，且其制备工艺可控，适于工业化...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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