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本发明涉及一种具有含铟导电层的发光二极管结构及其制备方法。发光二极管结构包括蓝宝石衬底、GaN成核层、非故意掺杂GaN层、N型GaN导电层、In组分渐变层、N型InGaN导电层、多量子阱有源区和P型InGaN导电层。本发明采用InGaN代替...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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