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内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法属于新型量子级联激光器技术领域,该激光器包括:导流孔、内建纳米通道、太赫兹量子级联激光器芯层和衬底;所述太赫兹量子级联激光器芯层包括光波导和不发光芯片区域;太赫兹量子级联激光器芯层制作在衬底上...该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。
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内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法属于新型量子级联激光器技术领域,该激光器包括:导流孔、内建纳米通道、太赫兹量子级联激光器芯层和衬底;所述太赫兹量子级联激光器芯层包括光波导和不发光芯片区域;太赫兹量子级联激光器芯层制作在衬底上...