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本发明涉及半导体器件领域，提供一种具有三明治栅极介质结构的HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上的GaN层；位于GaN层上的势垒层、源电极和漏电极，势垒层背离GaN层的一侧具有凹槽；位于源电极...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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