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本发明公开了一种制作嵌入式闪存的方法，根据本发明的方法制作的栅极氧化层的结构用于嵌入式闪存存储器结构的高压电路区域、闪存单元区域和低压电路区域，在高压电路区域和闪存单元区域中形成自对准栅极电极之后执行CMP（化学机械研磨）。本发明的制作工艺...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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