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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；形成在半导体衬底中的具有第一掺杂类型的阱区；形成在半导体衬底上的具有所述第一掺杂类型的阱区外延层；形成在所述阱区外延层上的自下而上层叠的具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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