温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件。本发明针对SiC VDMOS器件提供的复合栅介质结构，在沟道上方采用高介电常数栅介质/SiO2堆垛结构，JFET区上方全部采用SiO2，沟道和JFET区上方栅介质总物理厚度相...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。