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自支撑CdZnTe薄膜的制备方法技术
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下载自支撑CdZnTe薄膜的制备方法的技术资料
文档序号:12134252
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本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法,采用近空间升华方法,通过对沉积后的薄膜进行后处理,来分离薄膜与衬底,获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源,通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。该方法具有工艺简单、成本...
该专利属于上海大学所有,仅供学习研究参考,未经过上海大学授权不得商用。
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