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本发明提供一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法，其恰当地进行向衬底外周侧的排气传导性调节，由此能够可靠地实现膜形成时的处理空间内压力的均匀化。衬底处理装置具有：处理衬底的处理空间；排气缓冲室，具有以包围处理空间的侧方周围的方式设置的空间，...
该专利属于株式会社日立国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立国际电气授权不得商用。

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