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本发明为高电子迁移率晶体管温度传感器。一种集成结构(1)，包括：高电子迁移率晶体管(HEMT)(3)和与HEMT相集成的温度感应结构(8)，温度感应元件(7)配置为提供指示温度的信号，以为HEMT提供温度保护。...
该专利属于恩智浦有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩智浦有限公司授权不得商用。

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