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半导体晶片的金属污染评价方法和半导体晶片的制造方法技术
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文档序号:12095186
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本发明公开了一种对实施热处理后的半导体晶片的金属污染评价方法,包括下述步骤:通过分析方法1或分析方法2对半导体晶片表面的多个分析部位进行分析来获得分析值,其中,分析方法1是指因评价对象金属元素造成的污染量越多则用于评价的分析值越小,分析方法...
该专利属于株式会社SUMCO所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社SUMCO授权不得商用。
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