温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，所述半导体元件包含：基板、第一及第二槽状结构。第一槽状结构位于该基板，包含第一导电层、第一掺杂层及第一绝缘层，第一绝缘层位于该第一导电层与该第一掺杂层之间。第二槽状结构位于该基板，与该第一槽状结构之间...
该专利属于瑞昱半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑞昱半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。