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本实用新型提供了一种高压半导体器件，该器件包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第二掺杂类型的外延层，位于半导体衬底上；第二掺杂类型的高压阱，位于外延层内；第一掺杂类型的降场层，位于外延层的表面和/或外延层的内部，降场层的至少一部分位于高压阱内；...
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