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本发明提供了图像传感器及制备方法、减少电学互扰的方法，在具有光电二极管和像素单元电路的像素单元结构中，向半导体衬底中且对应于浅沟槽隔离结构下方的区域进行离子注入，以形成离子注入区，这些注入的离子经退火后形成多个空隙，这些空隙成为电子迁移的势...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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