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本发明提供一种半导体装置，包括：具有表面且由SiC构成的半导体层；形成于所述半导体层的表层部的第一导电型的基体区域；隔着栅极绝缘膜而与所述基体区域对置的栅电极；形成于所述半导体层的表层部且形成所述半导体的所述表面的第二导电型的源极区域；形成...
该专利属于罗姆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

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