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本实用新型涉及一种表面栅型静电感应晶体管(SIT)。本实用新型的晶体管由：漏极、位于漏极之上的N+低阻单晶的衬底、位于N+低阻单晶的衬底之上的N-高阻外延层和位于N-高阻外延层内的相互并联的多个SIT单元并联而构成，其中的有源区采用短沟道设...
该专利属于兰州大学所有，仅供学习研究参考，未经过兰州大学授权不得商用。

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