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本发明公开了一种非线性增强磁阻的磁传感器件及其制备方法。该器件由半导体非线性单元和磁性单元复合制得。半导体的非线性形成一个快速的高低阻态转变的电阻变化，磁性单元中的反常霍尔效应使得这个高低阻态变化偏移，因此在特定的电流区间内，可以得到异常巨...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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