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红外光电探测器及其制造方法技术
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文档序号:12025229
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本发明公开了一种红外探测器及其制造方法,该红外探测器包括衬底、下接触层、周期性的量子点量子阱混杂结构、上接触层、顶部环状电极及底部环状电极;其中,下接触层外延于衬底上;周期性的量子点量子阱混杂结构外延于下接触层上;上接触层外延于周期性的量子...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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