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本发明公开了一种高K金属栅极结构的制作方法，在制作金属栅极时，通过对NMOS或PMOS区域高K介质的TiN高应力保护层进行离子注入，以使该侧TiN保护层的高应力得到释放而转化为低应力，从而可在NMOS和PMOS上引入具有不同应力的TiN保护...
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