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本发明涉及一种用于晶体硅异质结太阳电池的透明导电氧化物薄膜及其制备方法，所述透明导电氧化物薄膜为氧化铟钛ITIO薄膜，其中钛与铟的原子个数比为0.2-5.0％。制备方法包括：采用磁控溅射法在依次沉积了本征钝化层和重掺杂非晶硅薄膜且制成了金字...
该专利属于上海中智光纤通讯有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海中智光纤通讯有限公司授权不得商用。

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