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一种半导体多层结构包括：β-Ga2O3基单晶基板，其具有包括(-201)、(101)、(310)或(3-10)面的主面，所述β-Ga2O3基单晶基板不含孪晶面或者还包括不含孪晶面的区域，所述区域在垂直于孪晶面和所述主面之间的交叉线的方向上具...
该专利属于株式会社田村制作所;株式会社光波所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社田村制作所;株式会社光波授权不得商用。

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