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本发明涉及一种近阈值8静态随机存储器单元，属于集成电路设计领域。该单元结构包括由第一NMOS管和第一PMOS管组成第一反相器，由第二NMOS管和第二PMOS管组成第二反相器，该两个反相器串行相连后的输入端和输出端分别连接第三PMOS管的源极...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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