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一种半导体多层结构包括：β-Ga2O3基单晶基板，其主面的位错密度不超过1×103/cm2；以及氮化物半导体层，其包括外延生长在所述β-Ga2O3基单晶基板上的AlxGayInzN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶体。...该专利属于株式会社田村制作所;株式会社光波所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社田村制作所;株式会社光波授权不得商用。
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一种半导体多层结构包括：β-Ga2O3基单晶基板，其主面的位错密度不超过1×103/cm2；以及氮化物半导体层，其包括外延生长在所述β-Ga2O3基单晶基板上的AlxGayInzN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶体。...